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第五十八章丶MAC晶片(1 / 2)

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「那就是MAC晶片的灵魂…」

周宇光在头盔里发出一句闷声。

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三天前,陈江河和周宇光,带着终极版本的GDSII流片数据…

还有苏晚晴亲笔签发的,针对试验线特点调整的几百条详细控制参数的密封函…

搭乘专车,从京城直抵沪城。

苏晚晴已提前一天抵达,坐镇沪城元件五厂的工艺整合中心。

流片前的技术会议,气氛有点紧张。

「苏工!您这版MAC晶片的密度设计太高,金属层堆叠太复杂!」

沪城元件五厂的厂长老宋指着图纸。

「我们试验线的平坦化工艺良率预估最多50%!风险实在太大!」

「50%?」

苏晚晴站在投影前,「宋工,我理解你们的顾虑。」

「但50%是基于你们过去对常规设计的经验。这份密封函里的参数…」

她拿起那份厚厚的文件,「包含了针对你们设备特性,如曝光机镜头畸变丶刻蚀机腔体均匀性的精确补偿值…」

「以及关键层,如多晶矽栅丶接触孔的冗馀设计规则。」

「按这个执行,CMP良率可以推到65%以上。」

「我们通过设计规则,避开了最敏感区域,并增加了容错标记冗馀度。」

苏晚晴走到白板前,拿起笔,飞快地画出几个关键区域的剖面结构图。

标注出补偿参数的具体应用位置和原理。

「看这里,金属层间介质的厚度,我们预留了±10%的波动裕度。」

「通过调整后续化学机械抛光的压力,和时间窗口动态补偿。」

「还有这里,接触孔的尺寸,我们做了负向偏置。」

「配合你们刻蚀工艺的微负载效应特性,实际开孔尺寸反而更接近设计值…」

精确到纳米级的工艺补偿策略!

如同悬崖峭壁上的安全绳!

老宋和几位工艺工程师听得目瞪口呆!

他们从未见过如此深入理解自家产线「脾气」丶并能将设计规则与之完美耦合的方案!

这需要对设备丶材料丶物理化学过程,有着近乎恐怖的洞察力和建模能力!

「可是…万一…」老宋仍有疑虑。

「没有万一。」

苏晚晴语气斩钉截铁,目光扫过全场,「风险,我们共同承担!流片费用,项目组兜底!」

「但机会,只有一次!【星河】正等着这颗心脏!国产晶片能不能在1.5微米站稳脚跟,就看这次了!」

「宋工,你们【708】线,如果不敢啃这个硬骨头,我立刻报给部里,换人!」

老宋看着苏晚晴眼中无形的压力…

看着密封函上密密麻麻却条理清晰的参数…

他一拍桌子:「干了!苏工!按你的方案走!我们【708】线,拼了这条老命,也要把这颗芯子流出来!」

MAC流片战役正式打响!

洁净间成为没有硝烟的战场。

苏晚晴坐镇PIE监控室。

巨大的屏幕上,实时滚动着各工序的工艺参数…

温度丶压力丶时间丶气体流量丶药液浓度。

和在线检测数据…

膜厚丶线宽丶套刻误差。

「黄光区注意!Mask 3加载!曝光剂量下调5%!补偿透镜热畸变!」

「刻蚀3号机!终点检测信号偏移!手动延长刻蚀时间3秒!注意侧壁形貌!」

「离子注入!调整扫描角度!补偿晶圆边缘剂量不足!」

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